SOI

Silicon On Insulator. Finalisé après au moins 15 années de recherches par IBM, ce procédé de fabrication consiste à fabriquer des transistors intégrés à l'aide de couches minces en oxyde de silicium. Cette technologie permet d'éviter les effets électriques parasites générateurs de grande perdition d'énergie. IBM attend des gains de performance de l'ordre de 35 % par rapport aux puces technologie standard avec une consommation d'énergie trois fois plus faible.
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